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YANSEN PCIe 4.0 2280 | Industrielle M.2 NVMe PCIE SSD

Kategorie
  • Schnittstelle: PICe Gen4 x 4
  • Kapazität: 256 GB-4 TB
  • NAND: eTLC
  • Lesen: Bis zu 7000~7400 MB/s
  • Schreiben: Bis zu 2400~6500 MB/s
  • Betriebstemperatur: -20℃~75℃, -40℃~85℃, 0℃~70℃

 

  • Zusatzfunktionen: 
  • Schnelles Löschen: Ja
  • TLC Direktschreiben: Ja
  • Schutz vor Stromausfall (PLP): Ja

schaffen

  • Die Yansen PCIe 4.0 2280 SSD ist eine industrietaugliche M.2 NVMe PCIe SSD, die für anspruchsvolle Umgebungen entwickelt wurde. Als für industrielle Anwendungen optimiertes Solid-State-Laufwerk bietet sie Spitzenleistung und Zuverlässigkeit, wo herkömmliche HDDs nicht mithalten können.
  • Dank PCIe Gen4-Schnittstelle erreichen unsere m.2 NVMe PCIe SSDs Geschwindigkeiten, die mehr als zehnmal schneller sind als SATA-Alternativen, mit Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7400/6500 MB/s. Dieser blitzschnelle Durchsatz ist unerlässlich für die effiziente Verarbeitung von Echtzeit-Sensordaten, Videoanalysen und anderen rechenintensiven industriellen Anwendungen. Gleichzeitig bietet die Speicherkapazität von bis zu 4 TB in eTLC-Konfiguration ausreichend Platz für die Erfassung und Speicherung wertvoller Betriebsdaten über lange Zeiträume.
  • Wo extreme Betriebsbedingungen herkömmliche Laufwerke beschädigen würden, beweist die Yansen PCIe 4.0 2280 SSD ihre Robustheit als industrielle NVMe-SSD. Qualifiziert für einen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C, hält sie Temperaturschwankungen stand, die andere SSDs schnell zerstören würden. Zusätzliche Schutzfunktionen wie die ECC-Korrektur auf dem gesamten Datenpfad garantieren zudem Datenverlustfreiheit bei Stößen, Vibrationen oder Spannungsschwankungen, wie sie in Produktionsumgebungen häufig auftreten.
  • Die Yansen PCIe 4.0 2280 SSD lässt sich dank ihres M.2-Formfaktors einfach installieren und nahtlos in Computer, Server und eingebettete Systeme integrieren, die Produktionsanlagen, Infrastruktur und vieles mehr steuern. Sie beseitigt Bedenken hinsichtlich der Speicherzuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen und ermöglicht es Anwendern, sich auf Produktivität statt auf Wartung zu konzentrieren.

Bestell-Informationen

Modell FLASH-Typ Kapazität Sequentielles Lesen Sequenzielles Schreiben TBW/DWPD
YSNN5M7XT TLC 256 GB ~ 4 TB Bis zu 7400 MB / s Bis zu 6500 MB / s TBW: 500~4000 TB
YSNN5T1KE eTLC 400 GB ~ 3.84 TB Bis zu 7000 MB / s Bis zu 2400 MB / s DWPD: 1 ODER 3

 

 

Modell YSNN5M7XX256XNNEN YSNN5M7XX512XNNEN YSNN5M7XX01TXNNEN YSNN5M7XX02TXNNEN YSNN5M7XX04TXNNEN YSNN5T1KEXXXEPNNA
Abmessungen M.2 2280 L80.0 mm * B22.0 mm * H2.1 mm Fehler ±0.15 mm
Formfaktor M.2 M-Schlüssel
Interface PICe Gen4 x 4Lane, NVME 1.3
Kapazität 256GB 512GB 1TB 2TB 4TB 400 GB ~ 3.84 TB
Nand Flash 3D NAND 3D NAND 3D NAND 3D NAND 3D NAND 3D eTLC
Sequentielles Lesen (MB/s) Bis zu 7400 MB / s Bis zu 7000 MB / s
Sequentielles Schreiben (MB/s)  Bis zu 6500 MB / s Bis zu 2400 MB / s
TBW/DWPD TBW: 500~4000 TB DWPD: 1 oder 3
4K Zufallslesen (IOPS) 710k 880k
4K Zufallsschreiben (IOPS) 670k 95k
Eingangsspannung Gleichstrom 3.3 V ± 5 %
Leistungsaufnahme (MAX) 4.56W 8W
MTBF 2 Millionen Stunden
Eigenschaften Energieverwaltung/TRIM/SMART/NCQ/Wear-Leveling
Betriebstemperatur -20℃~75℃, -40℃~85℃, 0℃~70℃ 0 ℃ ~ 70 ℃
Lagertemperatur -55 ℃ ~ 105 ℃ -40 ℃ ~ 85 ℃
Luftfeuchtigkeit 5-95 %
EIN ANGEBOT BEKOMMEN
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