YANSEN PCIe 4.0 2280 | Industrielle M.2 NVMe PCIE SSD
Kategorie M.2-PCIe
- Schnittstelle: PICe Gen4 x 4
- Kapazität: 256 GB-4 TB
- NAND: eTLC
- Lesen: Bis zu 7000~7400 MB/s
- Schreiben: Bis zu 2400~6500 MB/s
- Betriebstemperatur: -20℃~75℃, -40℃~85℃, 0℃~70℃
- Zusatzfunktionen:
- Schnelles Löschen: Ja
- TLC Direktschreiben: Ja
- Schutz vor Stromausfall (PLP): Ja
- Die Yansen PCIe 4.0 2280 SSD ist eine industrietaugliche M.2 NVMe PCIe SSD, die für anspruchsvolle Umgebungen entwickelt wurde. Als für industrielle Anwendungen optimiertes Solid-State-Laufwerk bietet sie Spitzenleistung und Zuverlässigkeit, wo herkömmliche HDDs nicht mithalten können.
- Dank PCIe Gen4-Schnittstelle erreichen unsere m.2 NVMe PCIe SSDs Geschwindigkeiten, die mehr als zehnmal schneller sind als SATA-Alternativen, mit Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7400/6500 MB/s. Dieser blitzschnelle Durchsatz ist unerlässlich für die effiziente Verarbeitung von Echtzeit-Sensordaten, Videoanalysen und anderen rechenintensiven industriellen Anwendungen. Gleichzeitig bietet die Speicherkapazität von bis zu 4 TB in eTLC-Konfiguration ausreichend Platz für die Erfassung und Speicherung wertvoller Betriebsdaten über lange Zeiträume.
- Wo extreme Betriebsbedingungen herkömmliche Laufwerke beschädigen würden, beweist die Yansen PCIe 4.0 2280 SSD ihre Robustheit als industrielle NVMe-SSD. Qualifiziert für einen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C, hält sie Temperaturschwankungen stand, die andere SSDs schnell zerstören würden. Zusätzliche Schutzfunktionen wie die ECC-Korrektur auf dem gesamten Datenpfad garantieren zudem Datenverlustfreiheit bei Stößen, Vibrationen oder Spannungsschwankungen, wie sie in Produktionsumgebungen häufig auftreten.
- Die Yansen PCIe 4.0 2280 SSD lässt sich dank ihres M.2-Formfaktors einfach installieren und nahtlos in Computer, Server und eingebettete Systeme integrieren, die Produktionsanlagen, Infrastruktur und vieles mehr steuern. Sie beseitigt Bedenken hinsichtlich der Speicherzuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen und ermöglicht es Anwendern, sich auf Produktivität statt auf Wartung zu konzentrieren.
Bestell-Informationen
| Modell | FLASH-Typ | Kapazität | Sequentielles Lesen | Sequenzielles Schreiben | TBW/DWPD |
| YSNN5M7XT | TLC | 256 GB ~ 4 TB | Bis zu 7400 MB / s | Bis zu 6500 MB / s | TBW: 500~4000 TB |
| YSNN5T1KE | eTLC | 400 GB ~ 3.84 TB | Bis zu 7000 MB / s | Bis zu 2400 MB / s | DWPD: 1 ODER 3 |
| Modell | YSNN5M7XX256XNNEN | YSNN5M7XX512XNNEN | YSNN5M7XX01TXNNEN | YSNN5M7XX02TXNNEN | YSNN5M7XX04TXNNEN | YSNN5T1KEXXXEPNNA |
| Abmessungen | M.2 2280 L80.0 mm * B22.0 mm * H2.1 mm Fehler ±0.15 mm | |||||
| Formfaktor | M.2 M-Schlüssel | |||||
| Interface | PICe Gen4 x 4Lane, NVME 1.3 | |||||
| Kapazität | 256GB | 512GB | 1TB | 2TB | 4TB | 400 GB ~ 3.84 TB |
| Nand Flash | 3D NAND | 3D NAND | 3D NAND | 3D NAND | 3D NAND | 3D eTLC |
| Sequentielles Lesen (MB/s) | Bis zu 7400 MB / s | Bis zu 7000 MB / s | ||||
| Sequentielles Schreiben (MB/s) | Bis zu 6500 MB / s | Bis zu 2400 MB / s | ||||
| TBW/DWPD | TBW: 500~4000 TB | DWPD: 1 oder 3 | ||||
| 4K Zufallslesen (IOPS) | 710k | 880k | ||||
| 4K Zufallsschreiben (IOPS) | 670k | 95k | ||||
| Eingangsspannung | Gleichstrom 3.3 V ± 5 % | |||||
| Leistungsaufnahme (MAX) | 4.56W | 8W | ||||
| MTBF | 2 Millionen Stunden | |||||
| Eigenschaften | Energieverwaltung/TRIM/SMART/NCQ/Wear-Leveling | |||||
| Betriebstemperatur | -20℃~75℃, -40℃~85℃, 0℃~70℃ | 0 ℃ ~ 70 ℃ | ||||
| Lagertemperatur | -55 ℃ ~ 105 ℃ | -40 ℃ ~ 85 ℃ | ||||
| Luftfeuchtigkeit | 5-95 % | |||||
- Spezifikation - Herunterladen
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