YSXXXXD3NXXXXXGN
Categoría DDR3
- Tipo de modelo: DDR3 SODIMM
- Frecuencia: 1333/1600 MT/s
- Número de pin: 204pin
- Capacidad: 2GB / 4GB / 8GB
- Ancho: 64 bits
- Voltaje de entrada: 1.35V
- Temperatura de funcionamiento: 0 ℃ ~ 70 ℃
- Los módulos DDR3 SO-DIMM SDRAM son módulos de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad que utilizan dispositivos DDR8 SDRAM de 3 bancos configurados internamente. Los módulos DDR3 SDRAM utilizan la arquitectura DDR para lograr un funcionamiento a alta velocidad. La arquitectura DDR3 es esencialmente una arquitectura de precarga de 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Un acceso de lectura o escritura para el módulo DDR3 SDRAM consiste en una única transferencia de datos de 8n bits de ancho y un ciclo de reloj en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de n bits de ancho y medio ciclo de reloj en los pines de E/S. Cada DIMM de 204 pines utiliza contactos de oro.
información del pedido
| Modelo | VOLTIOS | CAPACIDAD | Organización | Tasas de transferencia de datos | CL-tRCD-PRT |
| YS1333D3N13502GN | 1.35V | 2GB | 256Mx8 | DDR3-1333 | 9-9-9 |
| YS1600D3N13504GN | 1.35V | 4GB | 512Mx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
| YS1600D3N13508GN | 1.35V | 8GB | 1Gx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
| Modelo | VOLTIOS | CAPACIDAD | Organización | Tasas de transferencia de datos | CL-tRCD-PRT |
| YS1333D3N13502GN | 1.35V | 2GB | 256Mx8 | DDR3-1333 | 9-9-9 |
| YS1600D3N13504GN | 1.35V | 4GB | 512Mx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
| YS1600D3N13508GN | 1.35V | 8GB | 1Gx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
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