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YSEEMAXXXXXXXXXXXXX

カテゴリー
  • インターフェース: eMMC 5.1
  • 容量: 4～128GB
  • NAND: 3D MLC/TLC
  • 読み取り: 最大 295 MB/秒
  • 書き込み: 最大 197 MB/秒
  • 動作温度: -40℃~85℃

 

  • その他の特長： 
  • 停電保護: はい
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テクノロジー

                                                           

  • YANSEN YSEEMAXXXXXXXXXXXXX eMMC 5.1 ストレージ ソリューションのご紹介。さまざまなアプリケーションに多用途で信頼性の高いオプションを提供します。4GB ～ 128GB の容量範囲と高度な 3D MLC/TLC NAND を採用したこのストレージ デバイスは、効率的で信頼性の高いパフォーマンスを保証します。最大 295 MB/秒の読み取り速度と最大 197 MB/秒の書き込み速度を実現する YANSEN eMMC 5.1 は、高速データ アクセスと転送に必要な速度を提供します。産業環境で動作するように設計されており、-40℃ ～ 85℃ の広範囲の動作温度をサポートしているため、堅牢で安定したパフォーマンスを必要とするさまざまなアプリケーションに適しています。

注文情報

モデル フラッシュタイプ 容量 シーケンシャル読み取りと書き込み
read 書きます
ワイシーマ1SM004INWNN MLC 4GB 160MB / S 52MB / S
ワイシーマ1SM008INWNN MLC 8GB 250MB / S 115MB / S
いいえ 3D TLC 16GB 290MB / S 195MB / S
いいえ 3D TLC 32GB 290MB / S 195MB / S
いいえ 3D TLC 64GB 295MB / S 190MB / S
いいえ 3D TLC 128GB 282MB / S 197MB / S

 

 

モデル YSEEMAXXXXXXXXXXXXX
寸法 11.5mm×13.0mm×1.0mm±0.1mm
プロトコル eMMC5.1
サポートされるデバイス スマートフォン、タブレット、PDA、携帯電子機器、デジタルビデオ
カメラ、マルチメディア機器等
容量 4GB 8GB 16GB 32GB 64GB 128GB
NANDフラッシュ MLC MLC TLC TLC TLC TLC
シーケンシャル読み取り(MB/秒) 160 250 290 290 295 282
シーケンシャル書き込み(MB/秒) 52 115 195 195 190 197
ランダム読み取り(IOPS) 4200 3900 8200 8200 7900 7560
ランダム書き込み(IOPS) 3200 4400 7100 7000 6800 5860
消費電力アイドル(uA) 150 80 135 135 140 110
消費電力 スリープ(uA) 120 70 130 130 135 80
HS400 読み取りVCC(mA) 40 70 40 40 40 75
HS400 読み取り VCCQ(mA) 170 200 120 120 125 125
HS400 書き込みVCC(mA) 20 45 50 50 55 85
HS400 書き込みVCCQ(mA) 100 125 65 65 65 70
動作電圧 VCC=3.3V、VCCQ=1.8V
最大動作温度。 -40℃〜85℃
保存温度。 -50℃〜95℃
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