YSSXXXXD3NXXXXXGN
Категория DDR3
- Тип модели: DDR3 SODIMM
- Частота: 1333/1600 МТ/с
- Номер контакта: 204pin
- Емкость: 2 ГБ / 4 ГБ / 8 ГБ
- Разрядность: 64 бита
- Входное напряжение: 1.35V
- Рабочая температура: 0 ℃ ~ 70 ℃
- Модули DDR3 SO-DIMM SDRAM представляют собой высокоскоростные модули динамической памяти CMOS с произвольным доступом, которые используют внутренне сконфигурированные 8-банковые устройства DDR3 SDRAM. Модули DDR3 SDRAM используют архитектуру DDR для достижения высокоскоростной работы. Архитектура DDR3 по сути является архитектурой 8n-prefetch с интерфейсом, разработанным для передачи двух слов данных за такт на контактах ввода-вывода. Один доступ для чтения или записи для модуля DDR3 SDRAM фактически состоит из одной передачи данных шириной 8nbit, за один такт на внутреннем ядре DRAM и восьми соответствующих передач данных шириной n bit, за один полутакт на контактах ввода-вывода. Каждый 204-контактный DIMM использовал золотые контактные пальцы.
Информации о заказе
| Модель | Напряжение | Рабочий диапазон | Организация | Скорость передачи данных | CL-tRCD-тРП |
| YS1333D3N13502GN | 1.35V | 2GB | 256Mx8 | DDR3-1333 | 9-9-9 |
| YS1600D3N13504GN | 1.35V | 4GB | 512Mx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
| YS1600D3N13508GN | 1.35V | 8GB | 1Gx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
| Модель | Напряжение | Рабочий диапазон | Организация | Скорость передачи данных | CL-tRCD-тРП |
| YS1333D3N13502GN | 1.35V | 2GB | 256Mx8 | DDR3-1333 | 9-9-9 |
| YS1600D3N13504GN | 1.35V | 4GB | 512Mx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
| YS1600D3N13508GN | 1.35V | 8GB | 1Gx8 | DDR3-1600 | 11-11-11 |
Нет загружаемых файлов
Запросить предложение
Запросить предложение
Похожие товары
-
ЯНСЕН PCIe 4.0 2280 | Промышленный твердотельный накопитель M.2 NVMe PCIE
- Емкость: 256 ГБ-4 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 7000~7400 МБ/с
- Запись: до 2400~6500 МБ/с
-
YSSN3VXMTXXXEPNNA
- Емкость: 240 ГБ–960 ГБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 550 МБ/с
- Запись: до 535 МБ/с
-
YSS25VXMTXXXIPNNA
- Емкость: 120 ГБ–960 ГБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 550 МБ/с
- Запись: до 535 МБ/с
-
YSS25VXMTXXXEPNNA
- Емкость: 240 ГБ–960 ГБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 550 МБ/с
- Запись: до 535 МБ/с
-
YSNU2V3MTXXXIPNNX
- Емкость: 960 ГБ, 1.92–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 3500 МБ/с
- Запись: до 3000 МБ/с
-
YSNU2V3MTXXXEPNNX
- Емкость: 960 ГБ, 1.92–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 3500 МБ/с
- Запись: до 3000 МБ/с
-
YSNU2G3YEXXXEPXXX
- Емкость: 1.6 ТБ–6.4 ТБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D eTLC
- Чтение: до 7400 МБ/с
- Запись: до 6100 МБ/с
-
YSNE1V3MTXXXEPNNX
- Емкость: 960 ГБ-7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 3500 МБ/с
- Запись: до 3000 МБ/с















