перейти к содержанию

YSSXXXXD4NXXXXXGN

Категория
  • Тип модели: DDR4 SODIMM
  • Частота: 2666 МТ/с
  • Номер контакта: 260pin
  • Емкость: 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ
  • Разрядность: 64 бита
  • Входное напряжение: 1.2V
  • Рабочая температура: 0 ℃ ~ 70 ℃

Технология

  • DDR4 SO-DIMM высокоскоростной модуль памяти, который использует 8 шт. 512Mx8、1024M x 8、2GX8 бит DDR4 SDRAM в корпусе FBGA и 4K бит Serial EEPROM на 260-контактной печатной плате. DDR4 SO-DIMM — это модуль памяти с двухрядным расположением выводов, предназначенный для установки в 260-контактные разъемы краевого типа. Синхронная конструкция обеспечивает точное управление циклом с использованием системных часов. Возможны транзакции ввода-вывода данных на обоих краях DQS. Диапазон рабочих частот и программируемые задержки позволяют использовать одно и то же устройство для различных приложений с высокой пропускной способностью и производительностью систем памяти.

Информации о заказе

Модель Напряжение Рабочий диапазон Организация Скорость передачи данных CL-tRCD-тРП
YS2666D4N12004GN 1.2V 4GB 512Mx8 DDR4-2666 19-19-19
YS2666D4N12008GN 1.2V 8GB 1024Mx8 DDR4-2666 19-19-19
YS2666D4N12016GN 1.2V 16GB 2Gx8 DDR4-2666 19-19-19

 

Модель Напряжение Рабочий диапазон Организация Скорость передачи данных CL-tRCD-тРП
YS2666D4N12004GN 1.2V 4GB 512Mx8 DDR4-2666 19-19-19
YS2666D4N12008GN 1.2V 8GB 1024Mx8 DDR4-2666 19-19-19
YS2666D4N12016GN 1.2V 16GB 2Gx8 DDR4-2666 19-19-19

 

 

Нет загружаемых файлов
Запросить предложение
Запросить предложение

Похожие товары

Запросить расчет