YSSXXXXD4NXXXXXXI
- Тип модели: DDR4 SODIMM
- Частота: 2666 МТ/с
- Номер контакта: 260pin
- Емкость: 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ
- Разрядность: 64 бита
- Входное напряжение: 1.2V
- Рабочая температура: -20℃ ~ +85℃;
Технология
- DDR4 SO-DIMM высокоскоростной модуль памяти, который использует 8 шт. 512Mx8、1024M x 8、 2GX8、2GX16 бит DDR4 SDRAM в корпусе FBGA и 4K бит Serial EEPROM на 260-контактной печатной плате. Kingspec DDR4 SO-DIMM - это модуль памяти с двухрядным расположением выводов, предназначенный для установки в 260-контактные разъемы. Синхронная конструкция обеспечивает точное управление циклом с использованием системных часов. Возможны транзакции ввода-вывода данных на обоих краях DQS. Диапазон рабочих частот, программируемые задержки позволяют использовать одно и то же устройство для различных приложений с высокой пропускной способностью и производительностью систем памяти.
Информации о заказе
| Модель | Напряжение | Рабочий диапазон | Организация | Скорость передачи данных | CL-tRCD-тРП |
| YS2666D4N12004GN | 1.2V | 4GB | 512Mx8 | DDR4-2666 | 19-19-19 |
| YS2666D4N12008GN | 1.2V | 8GB | 1024Mx8 | DDR4-2666 | 19-19-19 |
| YS2666D4N12016GN | 1.2V | 16GB | 2Gx8 | DDR4-2666 | 19-19-19 |
| Модель | Напряжение | Рабочий диапазон | Организация | Скорость передачи данных | CL-tRCD-тРП |
| YS2666D4N12004GN | 1.2V | 4GB | 512Mx8 | DDR4-2666 | 19-19-19 |
| YS2666D4N12008GN | 1.2V | 8GB | 1024Mx8 | DDR4-2666 | 19-19-19 |
| YS2666D4N12016GN | 1.2V | 16GB | 2Gx8 | DDR4-2666 | 19-19-19 |
Нет загружаемых файлов
Запросить предложение
Запросить предложение
Похожие товары
Сопутствующие продукты
-
YSSXXXXD4PXXXXXXI
- Тип модели: DDR4 U-DIMM
- Частота: 2666/3000/3200 МТ/с
- Номер контакта: 288pin
- Емкость: 4GB / 8GB / 16GB / 32GB
-
YSSXXXXD4NXXXXXGN
- Тип модели: DDR4 SODIMM
- Частота: 2666 МТ/с
- Номер контакта: 260pin
- Емкость: 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ
-
ЯНСЕН PCIe 4.0 2280 | Промышленный твердотельный накопитель M.2 NVMe PCIE
- Емкость: 256 ГБ-4 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 7000~7400 МБ/с
- Запись: до 2400~6500 МБ/с
-
YSSN3VXMTXXXEPNNA
- Емкость: 240 ГБ–960 ГБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 550 МБ/с
- Запись: до 535 МБ/с
-
YSS25VXMTXXXIPNNA
- Емкость: 120 ГБ–960 ГБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 550 МБ/с
- Запись: до 535 МБ/с
-
YSS25VXMTXXXEPNNA
- Емкость: 240 ГБ–960 ГБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 550 МБ/с
- Запись: до 535 МБ/с
-
YSNU2V3MTXXXIPNNX
- Емкость: 960 ГБ, 1.92–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 3500 МБ/с
- Запись: до 3000 МБ/с
-
YSNU2V3MTXXXEPNNX
- Емкость: 960 ГБ, 1.92–7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 3500 МБ/с
- Запись: до 3000 МБ/с
-
YSNU2G3YEXXXEPXXX
- Емкость: 1.6 ТБ–6.4 ТБ, 1.92 ТБ–7.68 ТБ
- NAND: 3D eTLC
- Чтение: до 7400 МБ/с
- Запись: до 6100 МБ/с
-
YSNE1V3MTXXXEPNNX
- Емкость: 960 ГБ-7.68 ТБ
- NAND: 3D TLC
- Чтение: до 3500 МБ/с
- Запись: до 3000 МБ/с
